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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
主要用于鈦合金板材、管材等真空退火，能夠實現真空退火過程工藝參數檢測與全過程優(yōu)化控制。
優(yōu)勢與特點：
具有較高控溫精度和溫度均勻性
極限真空度和工作真空度較高。
可選項：
1、外熱式
2、內熱式
3、臥式或立式
目前該設備已形成系列化產品，可根據客戶實際需求定制。
地址：沈陽市大東區(qū)萬柳塘路2號
傳真：024-24809927
Email：yb@sy-vac.com
網址：m.blogschina.com
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